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25

Mai

2011

Nouveaux Processeurs Intel en 22 nanomètres, Welcome to 3D...

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Écrit par BifrÖsT   
Welcome to 3D... mais pas ce que vous pensez :D.

De nouveaux processeurs en 22 nanomètres sont en cours d'elaboration au sein du centre recherche Intel combinant aux antipodes de ce qui se fait actuellement, économies d'énergie et gains de performance.

En en avait deja parlé, mais un petit retour sur les rumeurs de l'Ivy Bridge se confirme, en effet :

Intel annonce une percée majeure technique et historique en terme d'innovation dans ses futurs processeurs:

la première technologie est rendue en 3 dimensions ( j'en avais parlé il y a deja un moment dans un coin du forum ;) ).


Intel rassure donc sur un microprocesseur 22 nm - nom de code "Ivy Bridge" - qui sera la première puce à haut rendement qui utilisera la technologie "3-D transistors Tri-Gate".

Ces transistors "3D", appelés Tri-Gate vont donc rentrer en production avec la venue de l'Ivy bridge.
L'avantage du passage à la 3-D est en corrélation avec les progrès technologiques qui alimentent toujours la fameuse la loi de Moore.

    Une combinaison sans précédent d'amélioration des performances et de réduction des consommations vont permettre de nouvelles innovations à travers une gamme de futurs dispositifs gravés en 22 nm des plus petits processeurs ( mobiles ) aux plus puissants serveurs architecturés en cloud computing ...

Citation :SANTA CLARA, Californie, le 4 mai 2011 - Intel Corporation a annoncé ( à cette date ) une percée significative dans l'évolution du transistor.
Pour la première fois depuis l'invention des transistors en silicium,il y a de 50 ans, les transistors vont utiliser une structure en trois dimensions et seront prévus en production en grand volume d'ici peu. Intel va introduire une conception révolutionnaire de transistor 3-D appelés Tri-Gate, d'abord révélée par Intel en 2002, dans la fabrication à haut volume de 22-nanomètre (nm) fer de lance  d'une puce Intel baptisée "Ivy Bridge".

«Les scientifiques et les ingénieurs d'Intel ont une fois de plus réinventé le transistor, cette fois en utilisant la troisième dimension», a déclaré le président-directeur général d'Intel,Paul Otellini.

22nm_EnhancedPlanar_vs_Tri-Gate-small ... et devrait donc pouvoir relancer La loi de Moore qui, je le rappelle, est une prévision / estimation du rythme de développement des technologies à base de silicium et dérivés qui regit que environ tous les deux ans la densité de transistor doublera, tout en augmentant la fonctionnalité et la performance ainsi que la baisse des coûts de production ( donc influant aussi sur le portefeuille du client :) ). C'est la base meme des lois regissant les industries spécialisées dans le traitement des semi-conducteurs sur plus de 40 ans et Intel en fait son cheval de bataille pour etoffer le rythme de l'innovation.

Teraflop-Chip

Les 22 nm  Tri-Gate fourniront jusqu'à 37% de performances en plus avec une tension d'alimentation en baisse comparativement aux actuels transistors planaires 32nm d'Intel, le fameux courant de fuite parasite ( leakage )et non propice aux overclockings dont nous sommes friands sera largement mieux optimisé.

tr

Ce gain signifie une possibilité d'implantation dans de petits appareils portables.

Techniquement parlant ( meme si ca fait un peu batiment pour l'accéssibilité ); Le Tri-Gate est un refondement des traditionnelles portes  ( entrée-sorties ou IO ) planaires intégrées en deux dimensions et qui est remplacée par un "mur", une feuille verticale de silicium en trois dimensions extremement mince.
Le Contrôle du courant se fait par la mise en œuvre d'une porte sur chacun des trois côtés du mur - deux de chaque côté et une dans le haut - plutôt qu'un seul sur le dessus, comme c'est le cas avec le transistor planaire actuel ( cf photos Intel 1 & 2 ).

tr2

Le contrôle supplémentaire permet au transistor d'etre le mieux alimenté possible en tension lorsque le transistor est en état "on"soit en performance maximale de charge, et aussi près que possible du "zéro voltage" quand il est dans un état «off» donc, de repos (qui minimise la consommation) et permet ainsi au transistor de passer très rapidement entre les deux états avec le moins d' interference ni deretard possible pour un gain en réactivité et en consommation.

L'avantage d'une conception en 3 dimensions va permettre une résurgence sigificative en terme de concentration de transistors arguant ainsi une avancée dans le domaine du multicore.

Intel prevoit la production en masse d'ici la fin de cette année 2011.

Nous attendons cela avec impatience, car de nouvelles voies en overclocking s'annonceront certainement avec cette architecture tri Gate et en vous soufflant que le terascale approche à grands pas avec des estimations de frequences pouvant atteindre 5.7GHZ avec 1.35V (mais 265W de consommation tout de meme ).

terascale

Affaire à suivre ou w8 & see si vous preferez.


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